清华团队提出半导体器件物理新理论，将场效应晶体管模型计算速度提升近3个数量级

随着晶体管技术逐渐迈向后摩尔时代，越来越多的新材料与新器件对半导体器件的理论建模提出了新的需求和挑战，特别是基于二维体系的场效应晶体管。近年来，二维材料场效应晶体管愈加受到研究人员的关注，被看作是下一代芯片技术的候选者之一。需要注意的是，二维材料场效应晶体管与传统体材料不同，其载流子类型更易受到栅极电场的调控，因而无法利用传统体材料的近似技术来完成相应开发。当前，如何针对性地开发适用于二维材料场效应晶体管的高效计算模型，是学术界和工业界共同关心的话题。近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队根据二维体系的原子层薄特性，提出准费米能级相空间（Quasi-Fermi-Level Phase Space，简称 QFLPS）理论方法，并运用该理论在保持良好精度的前提下，将二维场效应晶体管稳态电流的的计算 ………………………………