继HBM上车之后，移动HBM有望用在手机上

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电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据韩媒报道，三星和海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术，以用于移动设备上，这类DRAM被称之为移动HBM存储器，并计划2026年左右实现商业化。 移动HBM是堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽，它与HBM类似，通过将常规DRAM堆叠8层或12层来提高数据吞吐量，并具有低功耗的优势。 以LPDDR为代表的移动DRAM芯片由于其较小的尺寸，并不适用于与HBM相同的TSV连接方案。同时，HBM制造工艺的高成本及低良率特性也无法满足高产能移动DRAM的需求。 报道称，移动HBM技术是堆叠在楼梯中，然后用垂直电线将其连接到基板的方法。三星电子正在开发名为“VCS”的技术，SK海力士正在开发名为“VFO”的技术。以提供更多的IO数据引脚，为性能提升提供有力支持。 三星计划在2025年推出基于 VCS（Vertical Cu Post Stack）垂直互联技术的名为 LP Wide I/O ………………………………