半导体产业新突破！“亦庄方案”攻克反向光刻多项关键技术

主要观点总结

东方晶源在反向光刻技术（ILT）领域取得突破，针对7/5nm先进制程，攻克了多项关键技术难题。该公司采用GPU集群高性能计算解决方案，率先实现全芯片级别的基于ILT技术的掩模优化。近期，其ILT解决方案在混合掩模优化、人工智能加速和优化不同复杂度掩模设计等方面展现出明显的技术优势。东方晶源的计算光刻平台PanGen®已在国内各大Fab厂商广泛应用，随着ILT解决方案的不断革新，其在先进制程研发和应用中的作用将越来越重要。

关键观点总结

关键观点1: 东方晶源在反向光刻技术（ILT）上取得突破

近期攻克了多项关键技术难题，包括优化收敛性、结果一致性等，并在国内各大Fab厂商加紧验证。

关键观点2: 东方晶源采用GPU集群高性能计算解决方案

率先实现全芯片级别的基于ILT技术的掩模优化，独创的混合掩模优化方法显著降低计算复杂度，提升整体计算效率。

关键观点3: 东方晶源引入人工智能技术解决ILT运算时间长的弊端

其深度学习模型预测结果与ILT计算结果相似度高达95%，同时获得近十倍的提速。

关键观点4: 东方晶源的计算光刻平台PanGen®已广泛应用

形成八大产品矩阵，具备完整的计算光刻相关EDA工具链条，已在国内各大Fab厂商广泛应用，量产掩模超6000张。

关键观点5: 东方晶源的ILT解决方案将在先进制程研发和应用中发挥重要作用

随着技术的不断革新，其在提升良率、降低生产成本方面的价值将逐渐显现。

文章预览

“在探索ILT（反向光刻技术）方面，东方晶源再次攻克了多项关键技术，‘剑指’先进制程。”北京经济技术开发区（北京亦庄）企业东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司（以下简称“东方晶源”）有关负责人透露，面对7/5nm等先进制程的迫切需求，近期，东方晶源ILT解决方案又成功攻克众多技术难题， 包括优化收敛性、结果一致性、人工智能加速、掩模复杂度重整化等， 目前正在国内各大Fab厂商（‌半导体制造工厂）加紧验证。 计算光刻作为现代芯片制造光刻环节的核心技术之一，其发展经历了从规则导向到模型驱动的转变。然而，随着制程迈向7nm乃至5nm节点，传统方法因规则局限、优化自由度不足等制约，难以满足复杂芯片设计的高要求。在此背景下， ILT （ 反向光刻技术 ）以其独特的优化思路应运而生。 “ILT即从目标芯片图案出发 ………………………………