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▲第一作者：J. Tong、Y. Fu 通讯作者：J. Tong、M. Lozada-Hidalgo 通讯单位：英国曼彻斯特大学 论文doi：10.1038/s41586-024-07435-8   背景介绍 石墨烯的基面对质子具有渗透性，但对所有离子和气体不具有渗透性，这赋予了其在膜、催化和同位素分离等应用中的使用。质子可以化学吸附在石墨烯上，并对其进行氢化，从而诱导导体-绝缘体转变，这在石墨烯电子器件中得到了广泛的研究。然而，这两个过程都面临能垒，并且已经提出了各种策略来加速质子传输，例如通过引入空位，掺入催化金属或对晶格进行化学功能化。但这些技术可能会损害其他性能，如离子选择性或机械稳定性 。 本文亮点 1. 本工作证明了在双门(double-gated)石墨烯中独立控制电场 E ，在1 V nm -1 左右，电荷载流子密度 n 在1×10 14   cm -2 左右，可以使质子传输与晶格氢化解耦，从而可以加速 ………………………………