碳化硅PN或NPN三明治夹层外延片的终端讨论-1 耐压结构设计

一个碳化硅芯片业余爱好者的学习笔记。文献整理，业界新闻，偶有所得，天马行空。本公众号属于个人学习笔记，仅为个人业余兴趣爱好，不涉及任何商业目的。文中如果有引用不规范的地方敬请见谅。有人的爱好是养花养草唱歌钓鱼，也有人喜欢写Twiter博客抖音，我最近几年，喜欢周末偶尔读点书刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技术发展。题记：做点有趣的事，做个有趣的灵魂。有朋友问，沟槽栅两侧深注入掩蔽如果做到八寸碳化硅片子做500nm宽沟槽栅的微沟槽能搞到2.5um pitch，那很厉害啊，是不是可以出产品呢？​真没有专利问题么？性能测试咋样呢？​真的，真没有专利问题。基础专利过期了。看下面这个专利布局的日期:​还有朋友说，二堡你聊的这些新型"PN"外延片或NPN"三明治夹层方案的碳化硅沟槽MOSFET器件，终端耐压结构怎么做呢 ………………………………