挣足钱的三星进攻下一代存储，MRAM成为目标？

来源：内容来自钜亨网 ，谢谢。 《韩国经济日报》报导，传三星电子(Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取记忆体(MRAM) 取得重大进展，市场估计在5 月24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的MRAM 记忆体。由于标准型记忆体DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代记忆体「磁电阻式随机存取记忆体(MRAM)」，与含3D XPoint 技术的「相变化记忆体(PRAM)」及「电阻式动态随机存取记忆体(RRAM)」。上述三类次世代记忆体皆具有非挥发性记忆体技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代记忆体处理速度，将比一般闪存记忆体还要快上十万倍。目前三星电子正大力发展MRAM记忆体，而另一半导体 ………………………………