深圳国量院，中科大团队AM：在二维铁磁性方面取得重要进展

二维范德瓦尔斯磁性材料因其在自旋电子器件架构创新中所展示的极大潜力，已成为技术创新的重要标志。这些材料的独特属性为开发新型自旋电子设备提供了可能。然而，面向这些材料的大规模生产过程遇到了显著障碍，主要是因为它们通常需要高于500°C的合成温度，并且难以与现有的标准互补金属氧化物半导体（CMOS）技术相兼容，尤其是在如二氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiNx）这类非晶衬底上的集成过程中，这极大制约了基于二维范德瓦尔斯磁性材料的技术应用范围和信息器件的产业化进程。近日，深圳国际量子研究院俞大鹏院士团队和中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授团队，联合美国和英国的合作者，提出了一种在非晶SiNx及SiO2衬底上，通过低热成本的分子束外延方法大规模制备二维铬碲（CrTe2）薄膜的先进技术，实现了与CMOS工艺兼容 ………………………………