中国科研人员在三维存储器设计领域取得重要进展

           推荐关注：半导体圈（微信：icquan） 近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得重要进展，相关成果以"A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM"为题，发表在国际集成电路顶级期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs [vol. PP, no. 99, 2017]上。这是世界上首篇关于三维相变存储器集成电路设计的文章。第一作者为博士生雷宇。 相变存储器利用电脉冲诱导存储材料在非晶态与晶态之间切换，具有非挥发性、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低等优点，被业界认为是下一代存储技术的最佳解决方案之一。 三维集成技术通过芯片或器件在垂直方向的堆叠 ………………………………