MOSFET 数据手册，试试这样看！

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MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。 极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中， 任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏 。 V DS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 V GS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 I D 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。 I DM 表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。 E AS 表示单脉冲雪崩击穿能量，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。E AS 标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。 P D 表示最大耗散功 ………………………………