给SiC“挖坑”，国产有机会吗？

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在Si IGBT和Si MOSFET时代，沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显的性能优势。而到了SiC时代，这个祖传“挖坑”的手艺却开始有了风险。想要做出沟槽型SiC MOSFET，就要先克服各种难题。   因此，现在SiC MOSFET在业界分化成两派：一派更为激进地推进沟槽型SiC MOSFET，主要玩家包括罗姆和英飞凌，一派更为保守地追求平面型SiC MOSFET，玩家主要包括意法半导体、安森美和Wolfspeed。   去年，保守派的安森美宣布他们于2024年发布的M4T MOSFET将是他们的第一代沟槽 MOSFET，眼看产品即将面世。相比之下，意法半导体致力于至少在接下来的两代产品中采用平面设计器件，并布局沟槽器件，或许2025年正式开启沟槽元年。   可以说，是平面型，还是沟槽型，业界的激烈争论永不休止。虽然如此，但厂商却在SiC MOSFET的规划中，又“老老实实”把沟槽器件当作最终目标 ………………………………