源自软磁畴段的布洛赫线链行为研究

1J. Mag. Mag. Mater.杂志第一百纪念卷的邀请评论文章1991 年，在苏格兰Edinburg 举行的国际磁学会议International Conference on Magnetism (ICM’91)上，国际磁学和磁性材料杂志J. Mag. Mag. Mater. 宣布了即将出版的第一百纪念卷邀请评论的名单。在这由当时国际上“磁学各个领域的领先科学家”撰写的32 篇邀请评论文章中，《石榴石磁泡薄膜中硬磁畴垂直布洛赫线链的行为》一文为“China”占了一席之地[1]。该文所介绍的研究工作成果实际上终结了当时国际上布洛赫线存储器的研制，因而也终结了以美国贝尔实验室Bobeck 开创的磁泡存储器(magnetic bubble memory，BM，1967—1983)[2] 和日本九州大学小西进提出的布洛赫线存储器(vertical-Bloch-line memory，BLM) 方案(1983—1992)[3] 为标志的20 世纪下半叶 ………………………………