主要观点总结
本文介绍了二维范德华半导体材料中的Te超薄膜的研究进展，包括其生长和表征方面的成果，以及通过表面Se替位掺杂实现对Te薄膜能带结构的连续调节的技术。文章还涵盖了相关研究成果的背景、应用前景、实验方法和资助情况等信息。
关键观点总结
关键观点1: 二维范德华半导体材料的优点和应用前景
二维范德华半导体材料由于结构稳定性好，在器件应用方面有很大潜力，尤其是Te超薄膜，在能量和信息器件领域有很好的应用前景。
关键观点2: Te超薄膜的生长和表征技术
中国科学院物理研究所表面物理实验室SF06组在Te超薄膜的生长和表征方面取得了一系列进展，包括实现了单层和少层Te薄膜的分子束外延生长，以及通过石墨烯层数调控Te薄膜与衬底之间的电荷转移等技术。
关键观点3: 表面Se替位掺杂技术的开发和应用
物理所-洪堡大学联合博士后苗光耀博士等人开发了超薄Te表面特定晶格位点同族替位（Se Te）的可控制备方法，并结合多种实验手段和理论计算详细研究了其电子性质。通过控制表面Se替位原子浓度，他们实现了对超薄Te能带结构的连续调节，为大量二维单元素半导体的掺杂与功函数调节提供了借鉴。
文章预览
二维范德华半导体材料由于没有悬挂键，在尺寸减小时仍能保持良好的结构稳定性，有望成为下一代电子和光学器件的候选材料。 为了推进二维范德华半导体的器件应用，我们需要发展二维半导体的可控掺杂方法。具有螺旋链结构的Te单晶是一种 p 型半导体，具有出色的热电性、高载流子迁移率、中红外偏振光响应、手性边缘态、自旋极化的能带结构以及磁-电耦合效应等优异性质。相应的Te超薄膜兼具体相特性的同时，其带隙随膜厚可调（0.33~1.0eV），在未来的能量和信息器件中具有很好的应用前景。 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理实验室SF06组近年来在Te超薄膜的生长和表征方面取得了一系列进展，包括 实现了单层和少层Te薄膜的分子束外延生长，揭示了Te薄膜带隙随厚度的依赖关系 【 Nano Lett. 17, 4619 (2017)】， 通过
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