多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式，研发p型场效应晶体管，突破二维平面晶体管集成维度限制

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当地时间 5 月 29 日，又一篇中国科学家主导的芯片材料论文登上 Nature 。 研究中，辽宁材料实验室与山西大学、中国科学院金属研究所、中山大学、 中国科学院大学、山东大学 等单位联合设计了一种基于范德华界面插层的量子效应掺杂范式，旨在实现对二维半导体的简单、稳定、可靠的空穴掺杂。 通过此， 他们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。 （来源：课题组） 这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。 利用这一调控策略，还能实现三维垂直方向的二维材料互补型逻辑电路， 这一方法拓展了硅基逻辑电路局限在二维平面的既定路线，为后摩尔时代未来二维半导体器件的发展提供了思路。 （来源： Nature ） ………………………………