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光刻是泛半导体行业的核心制造工艺,已广泛应用于硅基器件的大规模生产,推动了半导体、传感器和纳米光子学等领域的发展。光刻的工艺流程通常包括烘干、底涂、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、图形转移和检测等多个步骤。然而,传统光刻工艺流程涉及大量化学品使用,不仅在环境、安全、健康和可持续性(ESH/S)方面仍面临严峻挑战,还存在一些工艺兼容性问题。 作为一个案例,湿法剥离工艺(也称lift-off)的图形转移面临三大挑战:一是大量有机溶剂的使用引发环保与可持续性问题;二是工艺限制,包括残胶、金属再沉积、良率低及大面积剥离效率低等;三是与难加工衬底(如溶剂敏感聚合物或可降解衬底)不兼容,无法实现相应图形转移。这些问题限制了湿法剥离工艺在泛半导体行业作为标准工艺的潜力,也制约
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