一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系

PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P（positive）型；同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N（negative）型。2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用。3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体本身为电中性。4、P+和N+表示重度掺杂；P-和N-表示轻度掺杂。PN结原理如下图，空穴和电子的扩散形成耗尽层，耗尽层的电场方向如图所示：（一）二极管PN结正偏：PN结加正向电压，如下图：此时P区多子“空穴”在电场的作用下向N区运 ………………………………