第三代半导体发展现状及未来展望

文章预览

本文在分析第三代半导体重要战略意义的基础上，讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况，阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心，并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国已具备良好基础，但仍存在不足，建议在国家政策的指导下，以应用牵引实现发展，加大产线的持续支持力度，系统地丰富产品形态，促进第三代半导体产业高质量发展，把握未来应用新机遇。 20世纪80年代初，第三代半导体初露峥嵘，率先在化合物照明领域取得重大突破，目前已经在全球形成万亿级的市场规模。近3年，第三代半导体发展有所缓滞，但全球体量仍以每年约10%的复合增长率提高。随着深紫外发光二极管（LED）、Mini-LED、Micro-LED等革新技术的出现，第三代半导体在光电子领域又开辟出新 ………………………………