MOSFET选型规范

一、MOSFET选型原则行业技术发展总趋势为：小型化、表贴化，高频化，高功率密度化，高效率化，高可靠性，集成化，绿色化。重点突出高频化，高功率密度化，高可靠性及集成化。行业技术发展趋势主要体现在MOSFET芯片材料，晶圆技术，芯片技术及封装技术的演进及发展。选型原则如下：禁止选用处于生命周期末期的插件封装器件（能源用TO220，TO247除外）及封装为SO8，DPAK的表贴器件。对于信号MOSFET推荐选用栅极集成TVS保护的小型化表贴器件。1）对于Vds2）对于Vds介于600V~650V的高压功率MOSFET，其用于AC电源模块优先考虑选用Vds为650V的器件；封装根据电源模块散热及结构设计要求推荐选用表贴器件POWERPAK 8X8及插件TO247，未来还可考虑表贴器件POWERPAK5X6；对于在电路中工作频率不高的场景如当前PFC电路，优选寄生二极管不带快恢复特性的MOSFET（如INFINEON ………………………………