R课堂 | 通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）

本文的关键要点● 通过双脉冲测试可以评估逆变电路中的反向恢复损耗。● 通过对PrestoMOS™和普通SJ MOSFET进行比较，可以确认反向恢复特性出色的PrestoMOS™开关损耗更小。● 这显示了PrestoMOS™在降低逆变器电路损耗方面的优势。针对第三个主题“通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗”，我们将根据实际测试结果进行具体说明。● 逆变电路的种类和通电方式● 三相调制逆变电路的基本工作● 通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）● 通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）资料下载活用Si(硅)功率器件特征的应用事例更多内容点击前往R课堂下载中心查看咨询或购买产品扫描二维码填写相关信息将由工作人员与您联系通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试 ………………………………