中国科大刘世勇教授团队 Angew：基于精准高分子化学的单组分极紫外光刻胶

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点击上方 “ 蓝字 ” 一键订阅 在过去几十年中，光刻技术不断进步，以实现更小的临界尺寸，推动集成电路向更高水平的集成发展。极紫外 (EUV) 光刻已成为制造亚 10 nm 特征的最先进技术，但其材料面临重大挑战。尽管化学放大光刻胶和聚甲基丙烯酸甲酯是 EUV 光刻的主要材料，但它们的性能未能达到预期标准。在同时实现分辨率、线边粗糙度 (LER) 和灵敏度需求的光刻胶开发上，仍然存在显著挑战。 图 1. (a) 自降解聚合物在电子束或极紫外光刻中的降解和交联机制。 (b) 通过迭代增长法合成的自降解聚合物光刻胶显示出更高分辨率和更低的线边缘粗糙度。 近期， 中国科学技术大学刘世勇教授团队 合成了一种基于精准自降解高分子 (SIPs) 的高性能光刻胶，其通过级联降解实现了内在的信号放大。在低剂量的电子束或 EUV 辐射曝光下，这些聚氨基甲 ………………………………