GaN，“镓”驭全功率——高压大功率应用，氮化镓前景可期

功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——氮化镓（GaN）功率器件应用从快充起步已获得显著的商业化进展，EV的逆变器则率先采用了碳化硅（SiC）。然而，近年来GaN向“全功率”市场的扩展，预示电力电子应用市场将不再“风平浪静”，有迹象表明，氮化镓有望改写功率半导体领域的竞争格局。功率器件市场的结构性重塑Yole 2023年的统计预测显示（图1），未来五年内功率器件市场规模将从209亿美元扩大到333亿美元，目前仍主导市场的传统MOSFET和IGBT器件的市场占比同期大幅下降，而SiC和GaN功率器件市场份额有望在2028年即达到三成。图1：SiC和GaN功率器件市场份额将在2028年达到30% （资料来源：Yole 2023）电力电子应用看好宽禁带化合物半导体功率器件，是因为基 ………………………………