化合物半导体：5G与新能源车驱动高成长！

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来源：格隆汇 第三代化合物半导体迎来快速成 长期 。目前绝大多数的集成电路以硅为 原材料 制作，具有集成度高、稳定性好、功耗低等优点。但摩尔定律逐渐遇到瓶颈，除了更高集成度的发展方向之外，通过不同材料在 模拟 IC上实现更优质的性能是发展方向之一。 同时随着5G、新能源汽车等 产业 的发展，对高频、高功率、高压的半导体 需求 ，硅基半导体由于材料特性难以完全满足，以GaAs、GaN、SiC为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。 目前GaAs产业相对较为成熟、以稳懋为代表的相关代工厂近年来取得了快速的成长。GaAs具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、击穿电压高等特性， 在射频、功率器件、光电子及国防军工等应用领域优势 ………………………………