​华科/安师大Nano Lett.: 离域电子填充vdW层，实现超高电流密度HER

文章预览

【高端测试 找华算】 专注测试分析服务、自有球差电镜机时、全球同步辐射资源，10000+单位服务案例！ 经费预存选华算，高至16%预存增值！ 具有优异析氢反应(HER)性能的二维过渡金属二卤化物(TMDCs)已成为推进绿色氢能发展的一种可行的贵金属替代品。然而，由于较低的电导率和有效电荷转移动力学，大部分基板表现出相对较低的HER活性，限制了整体性能。因此，许多研究集中在提高TMDCs的电导率，以实现有效的电荷转移。然而，在层相关催化剂上，电子往往沿着二维平面传导，而垂直方向往往是禁止的，因为在vdW间隙存在巨大的能量障碍(夹层的电阻比面内表面的电阻高出2数量级以上)。 因此，电子难以穿透vdW层并从收集器持续注入或收集到表面位点，阻碍了反应动力学并降低整体活性。基于此，增强垂直电荷转移动力学预计将有助于在克服TMDCs ………………………………