英诺赛科连续两年荣获全球最具潜力第三代半导体技术奖

由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的“国际集成电路展览会暨研讨会”（IIC Shenzhen 2023）于2023年11月2日在深圳大中华交易广场重磅启幕。英诺赛科受邀参与IIC高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛，并被评选为2023年全球电子成就奖-最具潜力第三代半导体技术企业。InnoGaN助力高频高效高功率密度电源发展伴随着中国经济的持续快速增长，电源产业呈现良好的发展态势，据中国电源协会预测，到2025年电源市场规模将增至5400亿元，2021-2025年CAGR 达11%。同时，在绿色低碳战略不断推进与深入进程中，提升能源利用效率和能源转换效率已成为各行各业的共识。氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体，近年来在应用端的价值被不断发掘，其高速、高频、高效率的特性不断推动着系统应用的革新，也推动着行业不断朝着低碳、节能的发展。英诺赛科 ………………………………