湖南大学，最新Nature!

文章预览

研究背景 二维（2D）半导体是由单层或少层原子组成的材料，因其优异的电子和物理性质成为了研究热点。它们具有无悬挂键的表面，这使其能够在不受传统晶格匹配限制的情况下与各种基板集成。因此，2D半导体在单片三维（M3D）集成中展示了巨大的潜力，能够大大提高器件密度和性能。 然而，由于2D半导体的原子级薄体厚度，它们在微电子领域中的各种高能量工艺中存在兼容性问题，这使得多层2D电路的M3D集成变得极具挑战性。例如，高温沉积和等离子体处理等工艺可能会损害2D材料的结构和电气特性，从而影响底层器件的性能。 有鉴于此， 湖南大学刘渊教授等人 曾提出了多种替代方法，以实现低温M3D集成，从而避免高能工艺对2D材料的损害。在他们努力中，范德瓦尔斯（vdW）层压技术脱颖而出。这种方法通过在牺牲晶圆上预先制造所有器件 ………………………………