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228层!三星电子加快第八代V-NAND闪存开发进度

EETOP  · 公众号  · 硬件  · 2021-06-09 11:43
EETOP消息,据韩国媒体businesskorea报道,三星电子公司的一位高级官员6月8日表示,该公司正在加速开发具有200层以上的V-NAND闪存。 "公司已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片,并计划根据消费者的需求将其推向市场。"执行副总裁兼闪存产品与技术负责人Song Jai-hyuk在该公司新闻室发表的一篇文章中说。 三星电子目前正在进行研究,目标是开发第八代228层的V-NAND闪存。 该公司目前正在平泽的新工厂(2号厂)测试第七代176层V-NAND闪存的生产线。生产量为每月10,000张12英寸晶圆。预计在2021年下半年这条生产线投产后,将立即开始为第八代V-NAND闪存的大规模生产做准备。 三星电子在推出新产品之前披露下一代NAND闪存的层数,这是很不寻常的。不正式宣 ………………………………

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