英飞凌实现全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术

文章预览

●  凭借这一突破性的300mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ●  300mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平 抢先体验，英飞凌全新CoolGaN™ 系列工程样品 CoolGaN™ G3系列晶体管 CoolGaN™ 双向开关（BDS） 👇 扫码免费申请试用👇 仅100份，先到先得！ 英飞凌科技股份公司今天宣布， 已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。 这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200mm晶圆，300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。 300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆 基于GaN的功率半导体正在工业、 ………………………………