天津大学Nanoscale：新型二维材料α-GeTe：具有铁离子敏感性

【引言】自2004年石墨烯发现以来，二维材料越来越引起人们的关注，过渡金属硫族化合物（TMDs）、黑磷、硅烯、锗烯、砷烯等类石墨烯二维材料的发现极大地丰富了二维材料的种类。但是现存的这些二维材料都存在一些缺点，比如，石墨烯是零带隙的半导体材料，黑磷在空气中不能稳定存在，因此对新型二维材料的探索研究具有很大的价值。α-GeTe能够实现结晶与无定型的可逆相转变，通常作为相变存储器来研究，同时，值得注意的是α-GeTe也是一种具有层状结构的窄带隙半导体材料，载流子密度高达1021 cm-3。根据文献报道，对纳米尺度的α-GeTe已经有了一定的研究基础，但是对于α-GeTe的二维半导体性质还没有过报道，因此，对于二维α-GeTe的研究具有非常重要的价值和 ………………………………