英飞凌：突破全球最薄硅功率晶圆

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近日，英飞凌宣布已成功将其硅功率晶圆的厚度减半至20微米（μm），实现了前所未有的技术突破。这一突破显著降低了晶圆衬底电阻和整体功率损耗，优化了功率器件的碳足迹，为下一代电子产品的性能提升和能效优化奠定了基础。 据英飞凌电源和传感器系统部门的Adam White介绍，这种20微米的功率晶圆是目前市场上最薄的硅功率晶圆。与传统硅晶圆相比，其厚度减少了50%，基板电阻也相应降低了50%，进而使功率系统中的功率损耗减少了15%以上。 厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。 厚度改进对于高端AI服务器应用尤为重要，因为随着电流增大，能源需求也随之上升。通过将电压从230V降低到1.8V以下的处理器 ………………………………