半导体｜SK海力士成研发176层堆栈4D NAND快闪存储器，明年6月量产

来源 ：钜亨网根据《韩联社》12月7日报导，南韩存储器大厂 SK 海力士12月7日表示，该公司已于近期内成功研发出基于三层储存单元 (Triple Level Cell，TLC) 的 176 层堆栈 512Gb NAND 快闪存储器。在去年 6 月的时候，SK 海力士抢先全世界，成功量产了 128 层堆栈的 4D NAND 快闪存储器。而在这回，SK 海力士则是晚了美国美光 (MU-US) 一步，美光在 11 月的时候宣布该公司已经展开 176 层堆栈 NAND 快闪存储器的出货。 有关这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器，该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平，比起上一代的 128 层堆栈产品，生产率提高 35% 以上，也随之拉高在成本方面的竞争力。 此外，比起上一代产品，资料读取速度快 20%，数据的传输速度更提升 33% 至 ………………………………