【开发】芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台；华天科技30亿元盘古半导体项目,预...

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1、芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台，加速填补国内碳化硅沟槽器件产业化空白 2、华天科技30亿元盘古半导体项目，预计年内部分投产 3、杭州市市长与企业家代表早餐座谈，进迭时空、行芯科技等参会 4、联讯仪器总部基地启用，聚焦高端测试仪器与设备领域 1、芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台，加速填补国内碳化硅沟槽器件产业化空白 集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。 据悉，芯粤能第一代碳化 ………………………………