高性能、高可靠，主打锂电保护应用！纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

主要观点总结

纳芯微推出全新CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET产品NPM12023A系列，具有优异的短路过流能力和雪崩过压能力，更强的机械压力耐受能力，为便携式锂电设备充放电提供全面保护。采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于传统工艺，拥有超低导通阻抗和高ESD保护功能。解决传统CSP封装芯片问题，为客户提供更安全可靠的产品。

关键观点总结

关键观点1: 纳芯微全新CSP封装MOSFET产品的特点

采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于传统工艺，拥有超低导通阻抗、高ESD保护功能。解决传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题。

关键观点2: 产品优势

纳芯微CSP封装MOSFET产品具有高强度、小体积优势，满足便携式锂电设备的高充放电功率要求，提高充电效率，减少电量焦虑。

关键观点3: 技术特点

采用专有的CSP封装技术，调整产品结构，使导通电流平行于芯片表面，降低导通电阻，解决机械强度问题。同时，具备高抗短路和雪崩的能力，短路电流测试达到280A，雪崩能力测试>30A(225mJ)。

关键观点4: 公司背景

纳芯微电子是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，自2013年成立以来，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

文章预览

近日，纳芯微全新推出 CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品 ， 优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。 纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用 自有专利芯片结构设计 ，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有 超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能 等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。 图1：纳芯微CSP封装MOSFET产品优势 ►►► 便携式锂电设备对于充放电保护的要求： 高强度，小体积 智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄，功能更强大，同时对设备的充放电功率要求也越来越高：从最初的3-5W，到现 ………………………………