北大-彭海琳&丁峰及合作者︱集成型多通道二维鳍式晶体管

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本文来源于北京大学新闻网！ 一、研究背景： 鳍式场效应晶体管（FinFET）技术将硅基沟道和栅极制备成类似于鱼鳍（Fin）的垂直薄片结构，于2011年实现了集成电路商业化量产，突破了芯片22纳米制程工艺。自此，垂直鳍片沟道架构主导了现代晶体管微缩制程工艺，也是当前最先进的商用3纳米芯片制程的主流架构。当前3纳米制程的硅基鳍式晶体管（FinFET）的最小鳍片厚度约5纳米，已经趋近物理极限，硅基材料在芯片尺寸微缩极限下将面临短沟道效应等关键挑战，亟需芯片关键材料及其三维异质集成技术的创新。 开发高迁移率二维半导体鳍片/高介电常数(κ)栅介质集成型鳍式晶体管，有望突破传统硅基晶体管物理极限，尤其是在实现亚1纳米鳍片沟道厚度与原子级平整界面方面具有独特的优势，从而展现出优异的器件性能与高密度集成潜力。 然而， ………………………………