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基于绿色磷化铟（ InP ）的量子点发光二极管（ QD-LED ），仍然存在效率低和工作寿命短的问题，这对完全无镉的 QD-LED 显示和照明构成了严峻的挑战。 不幸的是，造成这些限制的因素仍然不清楚，因此没有明确的设备工程指导方针。 在此，近日，北京交通大学唐爱伟、中国科学技术大学樊逢佳，以及河南大学陈斐和申怀彬等研究者通过电激发瞬态吸收光谱技术，揭示了当前最先进绿色无镉量子点发光二极管（QD-LEDs）效率瓶颈的根源。这类QD-LEDs通常采用InP-ZnSeS-ZnS核-壳-壳结构，研究发现其效率下降主要归因于ZnSeS中间层的作用。该层引入了较高的电子注入势垒，导致电子浓度降低，同时限制了陷阱态的饱和程度，从而影响器件性能。 为了解决这一问题，研究者提出了优化电子注入和抑制电子泄漏的策略，从而显著提高了绿色InP基QD-LED的发光效率。
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