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温度是影响MOSFET寿命的关键要素之一,为防止过热导致的MOS失效,使用前进行简单的温度估算是必要的。 MOS管发热的主要原因是其工作过程中产生的各种损耗,能量不会凭空消失,损失的能量最终会通过转变为热量被消耗掉,损耗越大发热量也随之越大。在MOSFET开启的过程中随着 下降, 逐渐升高,而电压与电流存在交叠的区域,该区域将产生损耗。 当MOSFET完全导通时, 不等于0,这是由于MOSFET的漏源两端存在导通电阻,因此产生压降。 该电阻与导通时流过的电流产生损耗。 MOSFET关断的过程与其开启过程相似,所以MOSFET关断过程也将产生损耗。 除了MOSFET开关产生的损耗外,在三相交流电机控制系统中MOSFET续流二极管中也存在压降损耗。 因此MOSFET的主要损耗来源有以下五种: 导通损耗、开关损耗、续流损耗、断态损耗、驱动损耗。 而对温度影响
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