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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.4c09615 摘要 二维（2D）材料使得垂直场效应晶体管（VFETs）的实现成为可能，这为缩小晶体管通道提供了另一条途径。然而，当2D通道的厚度减少至约10 nm时，短沟道效应成为一个挑战。在此，我们展示了一种通过采用半金属碳纳米管（CNT）作为一维范德华（vdW）接触，实现超短沟道VFET的方法。具有5–10 nm MoS₂通道的CNT-VFET展现出超过10 ⁵ 的高开关比，160–120 mV/dec的低亚阈值摆幅值，以及超过10 ⁴ A/cm²的高电流密度。该开关器件甚至在约3.4 nm厚的通道下工作。这种出色的综合性能可归因于以下因素： 亚2 nm的CNT接触对栅极的静电屏蔽效应较弱，费米能级钉扎效应减弱，且具有高度可调的势垒。 采用1D vdW接触的VFET在超缩放晶体管领域具有巨大的应用前景，并有望在未来的纳米电子学和纳
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