【半导体】下一代EUV光刻，关键技术

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  芯片项目组创始团队招募！◀ 点击查看！  三大晶圆代工厂计划最早在 2025 年为 18 埃代工应用High NA EUV 光刻技术，但用标准 EUV（NA = 0.33）取代单次曝光高High NA（0.55）而非双重图案化，取决于它是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。   到目前为止，2024 年是高数值孔径 EUV 光刻技术的辉煌一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径 EUV 扫描仪。英特尔、imec、ASML、IBM 以及即将加入的台积电正在努力为新扫描仪加强光刻胶堆栈、EUV 掩模技术和首批工艺。2 月份，业界还在 SPIE 上收到了突破性消息，imec 宣布使用化学放大光刻胶解决了 16nm 线和空间问题，并使用金属氧化物光刻胶和高数值孔径图案化解决了 10nm 特征问题（见图 1）。   ’图 1：High NA EUV 扫描仪使用化学放大光刻胶 (CAR) 打印 16nm 特征，但能够使用金属氧化物光刻胶 (MOR) ………………………………