谁能替代铜互连？

主要观点总结

随着CMOS电路性能的关键制约因素从晶体管缩放转移到互连电阻和可靠性，寻找替代互连金属成为研究重点。目前铜互连面临尺寸缩小带来的压力，如介电击穿、电迁移和可靠性问题。因此，研究者正在探索新的互连金属化方案，如难熔金属和石墨烯等。这些方案需要满足低电阻率、无阻挡层金属化、高可靠性、良好的附着力、抗氧化性、工艺整合和可持续性等多个标准。其中，Ru和Mo因其良好的可靠性和蚀刻性被视为最有前途的替代金属。尽管这些材料在薄膜研究中表现出潜力，但在按比例导线中的行为还需进一步验证，且制造工艺技术仍在开发中。

关键观点总结

关键观点1: 互连电阻和可靠性成为CMOS性能关键

随着晶体管尺寸接近物理极限，互连电阻和可靠性成为影响CMOS电路性能的主要因素。

关键观点2: 铜互连面临的挑战

铜互连面临尺寸缩小带来的介电击穿、电迁移和可靠性问题。

关键观点3: 探索替代互连金属

研究者正在探索新的互连金属化方案，如难熔金属和石墨烯，以克服铜互连的局限性。

关键观点4: 替代金属的标准

这些方案需要满足低电阻率、无阻挡层金属化、高可靠性、良好的附着力、抗氧化性、工艺整合和可持续性等多个标准。

关键观点5: Ru和Mo的潜力

Ru和Mo因其良好的可靠性和蚀刻性被视为最有前途的替代金属，尽管制造工艺技术仍在开发中。

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 目前，互连电阻和可靠性是制约先进CMOS电路性能的关键因素。随着晶体管缩放速度的放缓，互连缩放已成为电路小型化的主要驱动力，预计未来CMOS技术节点的互连限制将更加严格。 随着临界互连尺寸接近10nm，目前铜“双大马士革”也变得越来越具有挑战性，替代金属化方案的研究力度在大约十年内不断加强。选择替代金属是一项高度多方面的任务，包括许多标准，包括降低尺寸时的电阻率、可靠性和性能方面，以及可持续性方面。 在本文章中，我们介绍了替代金属基准测试和选择的基本标准，并讨论了该领域的当前技术状况。本教程内容包括接近制造的材料介绍、实际研究中的材料以及基础研究的未来方向。虽然商用CMOS器件中铜金属化的第一种替代品最近已成为现实，但对这种终极互连金属的 ………………………………