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👆如果您希望可以时常见面,欢迎标星🌟收藏哦~ 目前,互连电阻和可靠性是制约先进CMOS电路性能的关键因素。随着晶体管缩放速度的放缓,互连缩放已成为电路小型化的主要驱动力,预计未来CMOS技术节点的互连限制将更加严格。 随着临界互连尺寸接近10nm,目前铜“双大马士革”也变得越来越具有挑战性,替代金属化方案的研究力度在大约十年内不断加强。选择替代金属是一项高度多方面的任务,包括许多标准,包括降低尺寸时的电阻率、可靠性和性能方面,以及可持续性方面。 在本文章中,我们介绍了替代金属基准测试和选择的基本标准,并讨论了该领域的当前技术状况。本教程内容包括接近制造的材料介绍、实际研究中的材料以及基础研究的未来方向。虽然商用CMOS器件中铜金属化的第一种替代品最近已成为现实,但对这种终极互连金属的
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