三星12nm DRAM良率不足五成！

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国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！     不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓↓↓ 6月12日消息，据韩媒报道，三星12nm级DRAM内存良率仍不足五成。 这一数据远低于80~90%的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。 据悉，三星电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成功。 32Gb 的颗粒容量意味着三星可在不使用 TSV 工艺的情况下就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 内存条。 相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。 因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。 三星电子还决定积极扩大 12nm 级 DRAM 的产量，未来华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为 ………………………………