今天看啥  ›  专栏  ›  低维 昂维

湖南大学Adv. Mater.: 二维Cr3Te4/WS2/Fe3GeTe2/WTe2磁性存储器:无场翻转和低功耗

低维 昂维  · 公众号  ·  · 2025-02-18 00:01
    

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291; 2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件); 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号) 摘要 自旋轨道扭矩( SOT )磁性存储器因其能实现强垂直磁各向异性( PMA )磁体的无场切换而备受关注 。 然而,功耗问题仍然存在 。 本文提出通过将化学气相沉积( CVD )制备的二维( 2D ) Cr 3 Te 4 /WS 2 范德华( vdW )异质结构,再转移至 2D Fe 3 GeTe 2 ( FGT )磁体,构建磁性隧道结( MTJ ) 。 该 MTJ 表现出非易失性 、 多输出状态和优异的循环耐久性 。 具有薄 WS 2 势垒层(少于六层)的 MTJ 展现 ………………………………

原文地址:访问原文地址
快照地址: 访问文章快照
总结与预览地址:访问总结与预览