Nature Electronics | 杜克大学：碳纳米管场效应晶体管的未来与应用！

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点击“蓝字”关注我们，了解更多信息 研究背景 在当前半导体领域，随着对更高计算性能的需求日益增加，传统硅基技术的瓶颈愈发显现。面对人工智能等计算密集型应用的压力，寻找替代硅材料的呼声越来越高。碳纳米管（CNT）凭借其极薄的结构和出色的电学性能，成为了潜在的理想替代品。然而，如何高效地控制纳米管的纯化、定位和钝化等关键问题，依然是实现高性能碳纳米管场效应晶体管（FET）的难题。 杜克大学的亚伦·富兰克林教授（Aaron D. Franklin）在这篇文章中，深入探讨了碳纳米管FET的挑战与前景，并对未来发展提出了自己独到的见解。本文将带领我们了解碳纳米管FET技术的最新进展，以及这一技术在未来高性能计算和高频应用中的巨大潜力。 图文导读 ○ 碳纳米管FET的潜力 碳纳米管FET的研究一直备受关注，主要因为碳纳米管的 ………………………………