上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利

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上海微电子的发明的目的在于提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高收集器镜的使用寿命。 9月10日，上海微电子装备（集团）股份有限公司公开了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利。该专利的申请日期为2023年3月9日，涵盖了极紫外辐射发生装置及其在光刻设备中的应用。 根据公开信息，这项专利申请号为CN202310226636.7，发明人为王伟伟、付辉、卢嘉玺、张洪博、蔡万宠、张子辰。 该专利提供了一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，极紫外辐射发生装置包括腔体；靶材发生器；激光发生器，用于向靶材发射激光并产生带电粒子及极紫外光；设于腔体内的收集器镜，用于沿收集器镜的光轴收集并反射极紫外光；设于腔体内的若干电极板，相邻电极板之间形成有电场，利用电场约束带电粒 ………………………………