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本文由半导体产业纵横(ID: I CVI EWS )综合 台积电表示,先进工艺的开发正按路线图推进,未来几年基本保持不变。 近日,台积电在其欧洲开放创新平台论坛上宣布, 计划在2025年末开始大规模量产N2工艺,A16(1.6nm级)工艺则预计在2026年末投产。 公司表示,先进工艺的开发正按路线图推进,未来几年基本保持不变。 新的生产节点采用台积电的超级电源轨(SPR)背面供电网络(BSPDN),可实现增强的供电,将所有电源通过芯片背面传输,并提高晶体管密度。但是,虽然BSPDN解决了一些问题,但它也带来了其他挑战,因此需要额外的设计工作。 从2025年末到2026年末,N2P、N2X和A16将陆续推出,不会同时出现,但都会在2026年年底前为大批量生产做好准备。这些技术有许多相似之处,包括采用GAA架构的晶体管以及高性能金属-绝缘体-金属电容器。 A16工艺
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