SiC 功率模块串扰机理及解决方案

主要观点总结

本文介绍了SiC MOSFET芯片在半桥电路中遇到的串扰问题，包括正向串扰和负向串扰。串扰问题主要由共源极电感产生的感应电压和Crss充放电产生的电流引起。文章详细阐述了串扰的机理和抑制方法，包括选择合适的功率芯片、调整驱动回路阻抗和驱动电平来抑制串扰。

关键观点总结

关键观点1: 串扰问题的概述

SiC MOSFET芯片在半桥电路中的串扰问题分为正向串扰和负向串扰，主要由共源极电感产生的感应电压和Crss充放电产生的电流引起。

关键观点2: 串扰的机理

串扰的产生与Crss的充放电产生的电流和驱动回路中共源极的寄生电感产生的感应电压有关。共源极电感引起的串扰电压主要是电流变化在电感两端产生感应电压导致的。

关键观点3: 串扰的抑制方法

抑制串扰的方法包括选择合适的功率芯片、调整驱动回路阻抗和驱动电平。选择合适的功率芯片可以在设计阶段尽量降低栅极受到的干扰。调整驱动回路阻抗可以抑制共源极电感作用下的串扰和米勒电容作用下的串扰。通过调整驱动电平可以抑制共源极电感作用下的开通串扰和米勒电容作用下的关断串扰。