我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限！

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8月13日，从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发， 在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。 相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。 人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术，当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。该研究团队在前期发现二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。但是，实现规模集成、走向实际应用仍具有挑战。 为此，研究人员开发了超界面工程技术，在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面，结合高精度的表征技术，显示集成工艺优于国际水平。研究人员通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试， 证实了二维新机制闪存在1Kb存储 ………………………………