解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

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当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而 SiC MOSFET 作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅 MOSFET 中的一个关键参数 ——Rdson ，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。 （一） Rdson 等效电阻分布 一般截止区或线性区是 MOSFET 的正常工作区，线性区的电阻即为 MOSFEI 的导通电阻。导通电阻是衡量 SiCMOSFET 性能的重要参数之一，目前研究的重点就是降低导通电阻。功率器件想要获得高的开关效率，器件本身的功率损耗要尽可能的减小。器件的导通电阻越小，在同样的额定电流下，器件的输出功率越高，器件的功率损耗越低。如下图，为器件导通电阻的组成。 图一： Rdson 等效电阻示意图       在 SiC ………………………………