中南大学ACS Nano: 基于原子取代策略形成WSe2-WS2横向异质结

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▲共同第一作者：张顺辉、刘航 通讯作者：张正伟 通讯单位：中南大学 论文DOI：10.1021/acsnano.4c06597 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     全文速览 近日，中南大学物理学院张正伟教授展示了在高温短时间内使用硫原子交换合成途径，将单层WSe 2 合成具有相对尖锐界面的单层WSe 2 -WS 2 异质结。通过拉曼光谱、光致发光（PL）光谱、电子显微镜和器件表征研究了横向异质结和取代过程，揭示了应变诱导转变的可能机制。     背景介绍 在半导体工业中，取代方法在合金化、掺杂和产生异质结方面非常有用。目前，化学取代已扩展到二维（2D）材料的掺杂和合金化，显示出开发原子级精度制造方法的巨大潜力。已经确定了两种主要的化学取代模式：表面直接取代模式和面内扩散取代模式。表面直接取代模式包括通过离子注入、热退火、和化学气相 ………………………………