下一代功率晶体管

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文章来源： 悦智网 原文作者： Glenn Zorpette 过去十年里，半导体领域里最大的事件之一就是传统硅在电力电子领域黯然失色， 随着 碳化硅（SiC）和镓氮化物（GaN） 这些新材料在重要领域的应用，自然而然地出现了一个问题： 下一代新的功率半导体会是什么材料？ 在IE DM上，名古屋大学的研究人员介绍了一种基于氮化铝合金的二极管制造方法，这种二极管每厘米能够承受7.3兆伏的电场，大约是碳化硅或氮化镓的2倍。 值得注意的是，这种器件传导电流的电阻非常低。 长期以来，氮化铝一直吸引着半导体研究人员。 功率半导体最重要的特征之一就是其带隙。 用宽带隙半导体制成的晶体管能够在材料失效和晶体管损坏之前承受非常强的电场。 氮化铝的带隙高达6.20电子伏，优于镓氮化物的3.40电子伏和碳化硅的3.26电子伏。 不过，氮化铝一直存在一个 ………………………………