半导体行业（一百六十四）——加热工艺（五）

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牺牲氧化层是生长在晶圆表面元器件区域上的二氧化硅薄膜（低于1000Å)。牺牲氧化层生成之后将立刻被氢氟酸溶剂剥除。一般情况下，栅氧化工艺之前都将先生长一层牺牲氧化层来移除硅表面的损伤和缺陷。该氧化层的生成和移除有利于产生零缺陷的硅表面并获得高质量的栅氧化层。 以MOS为主的IC芯片，其最薄也最重要的二氧化硅层是栅氧化层。由于元器件尺寸不断缩小，栅氧化层从20世纪60年代大于1000Å厚度降低到2000年复杂芯片上的15Å左右，而且IC芯片的工作电压从12V降低到1.2V。栅氧化层的质量对于元器件能否正常工作非常重要，栅氧化层中的任何缺陷、杂质或微粒污染物都可能影响元器件的性能，并且显著降低芯片的成品率。下图说明了牺牲氧化层和栅氧化层的 ………………………………