研究透视：忆阻器-磁纳米线 | Science

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在磁 纳米 线中，移动畴壁的操纵和检测是多位存储器发展的基础。对这种畴壁的研究，主要集中在通过使用磁光效应，进行光学检测的宏观磁线。 近日，德国马普微结构物理研究所(Max Planck Institute of Microstructure Physics) Jae-Chun Jeon，Stuart S. P. Parkin等，在Science上发文，利用一组集成到跑道racetracks中的异常霍尔探测器，实验演示了纳米跑道中，多个移动畴壁的电跟踪，空间分辨率优于40 nm。 霍尔检测器的电时间序列信号，在具有多核忆阻器模型描述的畴壁或多个畴壁的动态特性，可实现静态和动态相空间可视化。畴壁动力学和随机性，可在赛道中控制，甚至可以控制到深亚微米尺寸。 Multicore memristor from electrically readable nanoscopic racetracks. 电子可读纳米赛道的多核忆阻器。 图1. 电学检测了电流感应磁畴壁运动。 图2: 在整个赛道上，畴壁速度的电学映射 ………………………………