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晶体，作为计算机、通讯、航空及激光技术等前沿领域的核心基石，其大尺寸制备一直是技术突破的关键。传统方法如同建造高楼，从小颗粒表面逐步累加原子层，层层堆叠直至形成完整晶体，这一过程面临诸多挑战，如原子排列易失控、杂质与缺陷累积，限制了晶体质量的提升。 北京大学科研团队在晶体制备领域取得了革命性进展，他们创新性地提出了一种颠覆性的“晶格传质-界面生长”技术。 这一方法让晶体生长如同“顶竹笋”般向上延伸，实现了原子层在特定界面上的高效、有序堆积，极大提升了晶体结构的可控性与生长速度。此成果不仅标志着晶体材料制备技术的一次飞跃，还预示着电子和光子集成电路性能的全新飞跃， 相关研究成果已于7月5日在国际权威期刊《科学》上在线发表。 用“晶格传质-界面生长”新方法制备晶圆级二维晶
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